igbt的发展前景
发布日期：2021-08-09
现阶段igbt模块原材料是硅半导体，已使用二十余载，其潜力几乎发挥到极致，最大抗压为6500伏，最大电流为3600安，不能完成很大突破。因此，行业内公认igbt模块技术现阶段已接近封顶。
但，对半导体行业，需求并不是根本，技术升级才能是掌握投资机会的主轴，一旦技术出现迭代，需求将不会出现线性增长的状态。现阶段，igbt模块在新能源车行业，就遭受了这个挑战。业内人士广泛认为，硅基igbt模块逼近原材料特性极限，技术升级势在必行。所以，以后碳化硅（SiC）半导体在一定行业和行业，包含电动汽车，会完成对硅半导体的很大更换。
但，限制SiC用处的因素是成本费太高，产品参数也并不稳定。目前SiC芯片成本费是igbt模块的4-5倍，但业界预计SiC成本费三年内能够 降低到2倍左右。所以，业内也有声音觉得，未来随之第3代半导体的成本费快速降低，igbt模块就可能会进一步被3代半导体取代。
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